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IRFZ48NS/IRFZ48NL
 
3500
3000
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = 32A
V DS = 44V
V DS = 27V
V DS = 11V
2500
2000
1500
1000
500
Ciss
Coss
12
8
4
0
1
Crss
10
100
0
0
20
40
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
60         80
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
100
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
T J = 175 ° C
100μsec
T J = 25 C
10
1
°
10
1
1msec
Tc = 25 ° C
Tj = 175 ° C
10msec
0.1
V GS = 0 V
0.1
Single Pulse
0.2
0.7         1.2         1.7
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
2.2
1
10
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
100
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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